随着5G、AI、消费电子的兴起，芯片半导体市场规模保持高速增长，成为未来科技生活的关键点。而半导体新技术在攻坚突破的同时，对芯片尺寸和性能的要求也不断升级。芯片作为半导体行业的关键一环，其电气性能的测试工序是半导体集成电路制程的比较重要的一道工序。
芯片的测试通道需要开关来控制和切换，继电器对芯片的测试主要有电源供应和信号测量两大功能，传统方式采用干簧管继电器，但MOS FET继电器具有较高的增益和阻抗。欧姆龙全新上市的G3VM带电压驱动型MOS FET继电器从电流驱动变成电压驱动，同时其小尺寸更有效利于设备小型化！
G3VM-31QV / G3VM-61QV
产品优势：
低阻抗低电容
满足大负载电流，低阻抗低电容。现在大部分设备使用了传统的干簧管继电器来进行测试，传统干簧管尺寸体积较大由电流控制，大电流低漏电流，测量角度单一。而G3VM带电压驱动型MOS FET继电器低阻抗低电容，低漏电流，使测量结果更精确。
小尺寸，减少封装面积
尺寸小，可以有效减少封装面积，节省封装尺寸和其他零件的占板面积，有利于设备小型化。
电压驱动
电流驱动改为电压驱动，电阻器集成于产品内部，只需要加载电压就能进行驱动，让整个测试过程更为便捷快速。
产品信息
*测量输入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧统一地施加电压。
电气性能（TA=25）
实际应用
适用于半导体测试设备、数据记录仪
